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星空体育(StarSports)官方网站 AMD探索将来L2缓存加入3D堆叠 能效会更高

2026-02-23 11:21    点击次数:104

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在CES 2022大展上,AMD推出了接纳3D垂直缓存(3D V-Cache)技巧的Zen 3架构Ryzen 7 5800X3D处治器,为每个CCD带来尽头的64MB 7nm SRAM缓存,使得处治器的L3缓存容量由32MB增多到96MB,进一步升迁了性能推崇。在随后的几年里,AMD束缚扩大X3D居品线,出色的游戏性能使其成为了DIY阛阓上炙手可热的居品。

AMD探索将来L2缓存加入3D堆叠 能效会更高

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据Wccftech报说念,AMD在一篇名为《均衡延伸堆叠缓存(Balanced Latency Stacked Cache)》的照拂论文中,探索在将来芯片的L2缓存加入3D堆叠,延伸可能优于传统绸缪。在好意思国商标和专利局(USPTO)公示中,亚博体育对应的专利号为“US20260003794A1”。

在第一代3D V-Cache里,AMD将CCX翻转(由面向顶部改为面向底部),然后削去了顶部95%的硅,再将3D垂直缓存芯片装配在上头。到了第二代3D V-Cache,AMD对3D垂直缓存芯片进行了优化,星空体育同期CCX和3D垂直缓存芯片互换了位置。

AMD展示了一种多层堆叠结构,基础芯片不息到计较模块和蔼存模块,上方不错相同多层缓存,示例中将四组512KB区域的缓存模块构成2MB的L缓存,另外还有一个CCC(缓存放胆电路)。L2缓存复合体可阐述需要蔓延,示例里还能进一步蔓延至4MB。

堆叠措施接纳了与3D V-Cache换取的旨趣,应用硅通孔(TSV)将L2/L3堆叠不息到基础芯片和计较复合体,建设在堆叠缓存系统的中心垂直标的,缓存放胆电路肃穆放胆数据的输入和输出。

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AMD使用了平面1 MB和2MB的L2缓存建设看成示例,指出前者的典型延伸为14个周期,后者的延伸为12个周期。新措施为探望苦求提供了更低的延伸,数据从数据缓存复返的速率也更快。由于周期更短,还能检朴电力,产生的热量也会更少。



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